전자공학과

오일권Il-Kwon Oh

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[논문] 이상훈, 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권, 김형준, Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, pp. 062402-062410 (10월, 2023)
[논문] Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권, Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices, ACS Applied Materials & Interfaces, pp. 43087-43093 (09월, 2023)
[논문] Hayrensa Ablat, 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent, Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications, ACS Applied Energy Materials, pp. 5806-5816 (05월, 2023)
[논문] 김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권, Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 2312-2320 (03월, 2023)
[논문] 최애림, 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권, Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 157104-157112 (01월, 2023)

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테스트

[논문] 김기욱, 최효준, 오일권, 임영진, 강현준, 김강, 김훈, 남윤석, 박고상희, 신석중, 신효범, 이상목, 이상호, 안진호, 전상훈, Experimental Analysis on the InteractionBetween Interface Trap Charges andPolarization on the Memory Window ofMetal–Ferroelectric–Insulator–Si (MFIS) FeFET, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, pp. 1-5 (9월, 2024)
[논문] 김기욱, 이상목, 오일권, 임영진, 김강, 김도형, 박고상희, 신현범, 이상호, 안진호, 전상훈, First Demonstration of Thermally Stable Zr:HfO2Ferroelectrics via Inserting AlN Interlayer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, pp. 1578-1582 (9월, 2024)
[논문] Sumaira Yasmeen, 구본욱, 오근하, 오일권, Youngho Kang, 이한보람, Si precursor inhibitors for area selective deposition of Ru, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 160530-160535 (6월, 2024)

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