전자공학과

오일권Il-Kwon Oh

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[논문] 이상훈(제1), 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권*, 김형준*, Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, pp. 062402-062410 (10월, 2023)
[논문] Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권*, Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices, ACS Applied Materials & Interfaces, pp. 43087-43093 (09월, 2023)
[논문] Hayrensa Ablat(제1), 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent*, Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications, ACS Applied Energy Materials, pp. 5806-5816 (05월, 2023)
[논문] 김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권*, Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 2312-2320 (03월, 2023)
[논문] 최애림(제1), 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권*, Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 157104-157112 (01월, 2023)

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테스트

[논문] Akash Ramdas(제1), Asir Intisar Khan(제1), Emily Lindgren(제1), Hyun-Mi Kim(제1), 원병준, Ching-Tzu Chen, Felipe H. da Jornada, Krishna Saraswat, Xiangjin Wu, Yuri Suzuki, 오일권*, Eric Pop*, Surface conduction and reduced electrical resistivity in ultrathin noncrystalline NbP semimetal, SCIENCE, pp. 1-1 (1월, 2025)
[논문] Giuk Kim(제1), 오일권, 임영진, Hongrae Cho, Hoon Kim, Hunbeom Shin, Hyojun Choi, Hyunjun Kang, Jong Min Chung, Kang Kim, Sang-Hee Ko Park, Sangho Lee, Seokjoong Shin, Seonjae Park, Sunseong Kwon, Jinho Ahn*, Sanghun Jeon*, Optimizing De-Trap Pulses in Gate-InjectionType Ferroelectric NAND Cells to MinimizeRead After Write Delay Issue, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, pp. 1-1 (11월, 2024)
[논문] 원병준(제1), 오근하, 오일권*, Effect of passivation layers in bilayer with ZrO2on Ge substrate for improved thermal stability, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, pp. 19584-19595 (10월, 2024)

연구활동 더보기(23)

[특허] 박순경, 오일권, 트랜지스터 채널용 금속 산화물층 제조 방법 및 트랜지스터 채널용 금속 산화물층, 특허, (등록) (10-2828324) (6월, 2025)
[특허] 박순경, 오일권, 버섯형 성장을 차단하는 비등방성 루테늄 영역의 선택적 원자층 증착법, 특허, (출원) (10-2025-0085820) (6월, 2025)
[특허] 오일권, 박순경, 강혜주, 신소연, 액체질량유량제어기 테스트장치, 특허, (등록) (10-2804696) (4월, 2025)

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