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전자공학과

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교수진

교수진 소개

정보통신대학전자공학과반도체분야

List

오일권Il-Kwon Oh

  • 소속 지능형반도체공학과 / 반도체분야
  • 연구실원천관 309호
  • 이메일 ikoh@ajou.ac.kr
  • 내선번호2360

관심분야

  • 반도체 소자 및 공정

학력

  • 2016.08 연세대학교 박사

경력

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대표논문

  • [논문] 이상훈, 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권, 김형준, Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, pp. 062402-062410 (10월, 2023)
  • [논문] Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권, Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices, ACS Applied Materials & Interfaces, pp. 43087-43093 (9월, 2023)
  • [논문] Hayrensa Ablat, 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent, Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications, ACS Applied Energy Materials, pp. 5806-5816 (5월, 2023)
  • [논문] 김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권, Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 2312-2320 (3월, 2023)
  • [논문] 최애림, 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권, Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 157104-157112 (1월, 2023)

연구활동

  • [논문] 이상훈, 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권, 김형준, Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, pp. 062402-062410 (10월, 2023)
  • [논문] Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권, Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices, ACS Applied Materials & Interfaces, pp. 43087-43093 (9월, 2023)
  • [논문] Hayrensa Ablat, 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent, Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications, ACS Applied Energy Materials, pp. 5806-5816 (5월, 2023)
  • [논문] 김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권, Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 2312-2320 (3월, 2023)
  • [논문] 최애림, 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권, Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 157104-157112 (1월, 2023)
  • [논문] Asir Intisar Khan, 오일권, 원병준, Christopher Perez, H-S Philip Wong, Heungdong Kwon, Kangsik Kim, Kenneth E Goodson, Krishna Saraswat, Maryann C Tung, Mehdi Asheghi, Pranav Ramesh, Xiangjin Wu, Zonghoon Lee, Eric Pop, Unveiling the effect of superlattice interfaces and intermixing on phase change memory performance, NANO LETTERS, pp. 6285-6291 (7월, 2022)
  • [논문] Asir Intisar Khan, 오일권, 원병준, Christopher Perez, H.-S. Philip Wong, Kathryn M. Neilson, Kenneth E. Goodson, Krishna Saraswat, Mehdi Asheghi, Pranav Ramesh, Xiangjin Wu, 권흥동, 김강식, 이종훈, Eric Pop, First Demonstration of Ge2Sb2Te5-Based Superlattice Phase Change Memory withLow Reset Current Density (~3 MA/cm2) and Low Resistance Drift (~0.002 at 105ºC), Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology, pp. 310-311 (6월, 2022)
  • [논문] 오일권, Chi Thang Nguyen, Nathaniel E. Richey, Ralf Tonner, Stacey Bent, Tania E. Sandoval, Tzu-Ling Liu, 구본욱, 이한보람, Elucidating the Reaction Mechanism of Atomic Layer Deposition of Al2O3 with a Series of Al(CH3)xCl3–x and Al(CyH2y+1)3 Precursors, Journal of the American Chemical Society, pp. 11757-11766 (6월, 2022)
  • [논문] Josiah Yarbrough, 오일권, Daniel Grigianis, Fabian Pieck, Patrick Maue, Ralf Tonner, Stacey Bent, Tuning Molecular Inhibitors and Aluminum Precursors for the Area-Selective Atomic Layer Deposition of Al2O3, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 4646-4659 (5월, 2022)
  • [논문] 이유진, 오일권, 김형준, 남태욱, 서승기, 서진형, 석장현, 선상규, 송봉근, 윤휘, 이상훈, 이현호, Growth mechanism and electrical properties of tungsten films deposited byplasma-enhanced atomic layer deposition with chloride and metalorganic precursors, APPLIED SURFACE SCIENCE, pp. 150939-150945 (8월, 2021)
  • [논문] 우황제, 오일권, 김미소, 김형준, 서승기, 송봉근, 윤휘, 이유진, 정승민, Reaction Mechanisms of Non-hydrolytic Atomic Layer Deposition ofAl2O3 with a Series of Alcohol Oxidants, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, pp. 18151-18160 (8월, 2021)
  • [논문] 이우재, 오일권, Susanta Bera, 배종성, 안정원, 우현재, 권세훈, Controllable size and crystallinity of Runanoparticles on a carbon support synthesized byfluidized bed reactor-atomic layer deposition forenhanced hydrogen oxidation activity, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, pp. 17223-17230 (6월, 2021)
  • [논문] 오일권, Nathaniel E. Richey,, Stacey F. Bent, Tania E. Sandoval, Tzu-Ling Liu,, Role of Precursor Choice on Area-Selective Atomic Layer Deposition, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 3926-3935 (5월, 2021)
  • [논문] Houda Gaiji, Rizwan Khan, Sumaira Yasmeen, 문찬휘, 신상우, 윤재홍, 이한보람, 오일권, Self-Formation of Superhydrophobic Surfaces through InterfacialEnergy Engineering between Liquids and Particles, LANGMUIR, pp. 5356-5363 (4월, 2021)
  • [논문] 이유진, 오일권, 김현재, 김형준, 김호진, 남태욱, 서승기, 양준영, 유충근, 유혁준, 윤휘, 이청훤, 임성일, 최동욱, 최원준, Hydrogen Barriers Based on Chemical Trapping Using ChemicallyModulated Al2O3 Grown by Atomic Layer Deposition for InGaZnOThin-Film Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, pp. 20349-20360 (4월, 2021)
  • [논문] Xiaoyun Yu, 오일권, Dara Semple, Richard G Closser, Stacey Bent, Tzu-Ling Liu, William Trevillyan, Area-Selective Molecular Layer Deposition of a Silicon Oxycarbide Low-k Dielectric, CHEMISTRY OF MATERIALS, pp. 902-909 (2월, 2021)
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  • [학술회의] 오일권, 김형근, Improved Leakage Currents of ALD ZrO2 by Controlling Surface Reaction with Plasma Source, AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2022), (12월, 2022)
  • [학술회의] 이민정, 오일권, 임동현, Study on the Reduction of Leakage Currents for Atomic Layer Deposition HfO2 Thin Films, KISM 2022, (11월, 2022)
  • [학술회의] 오일권, Study on Area-Selective Atomic Layer Deposition of Al2O3 with a Series of Al Precursors,, AVS 22nd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022), (6월, 2022)
  • [학술회의] 오일권, Selective Pattern Fabrication by AS-ALD for Semiconductor Devices, International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021, (10월, 2021)
  • [학술회의] 오일권, Reaction Mechanism of Area-Selective Deposition for Advanced Device Fabrication, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, (8월, 2021)
  • [학술회의] 오근하, 오일권, Bi-layered ZrO2/Y2O3 Structure for Ge-Based Devices Grown by Atomic LayerDeposition, 반도체학술대회, (1월, 2022)
  • [학술회의] 원병준, 오일권, 오근하, The Effect of Al2O3 Passivation Layer between ZrO2/Ge Substrate Depending onAnnealing Temperature, 반도체학술대회, (1월, 2022)
  • [학술회의] 오일권, Fundamentals of Bottom-up Fabrication of Selective Patterns forSemiconductor Devices, 반도체학술대회, (1월, 2022)
  • [학술회의] 오일권, 황진석, The Effect of Post-depositing Annealing on the Electrical PropertiesZrO2/Al2O3/ZrO2 Thin Films, 반도체학술대회, (1월, 2022)
  • [학술회의] 송채영, 오일권, 최애림, Area-Selective Atomic Layer Deposition of HfO2 for RRAM Device Fabrication, 반도체학술대회, (1월, 2022)
  • [학술회의] 오일권, 선택적 영역 원자층 증착법을 위한 표면반응 메커니즘: Al2O3 case 연구, Korean Surface Engineering conference, (6월, 2021)
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특허 및 기타

  • [특허] 오일권, 비저항 역행 원자층 증착 토폴로지 반금속, 특허, (출원) (10-2024-0018072) (2월, 2024)
  • [특허] 오일권, 강혜주, 신소연, 액체질량유량제어기 테스트장치, 특허, (출원) (10-2024-0000743) (1월, 2024)
  • [특허] 오일권, 임동현, PN형 반도체 형성 방법, 특허, (출원) (10-2023-0177991) (12월, 2023)
  • [특허] 오일권, 정이지, 주석 산화물 형성 방법, 특허, (출원) (10-2023-0177989) (12월, 2023)
  • [특허] 오일권, 디스프로슘이 도핑된 하프늄 옥사이드 박막 및 이의 제조 방법, 특허, (출원) (10-2023-0170871) (11월, 2023)
  • [특허] 오일권, 원병준, 이민정, 원자층 증착을 이용한 절연막 형성 방법, 특허, (출원) (10-2023-0079932) (6월, 2023)
  • [특허] 오일권, 캐패시터 및 캐패시터의 제조 방법, 특허, (출원) (10-2023-0018930) (2월, 2023)
  • [특허] 오일권, VHF를 이용한 PE-ALD 장치 및 방법, 특허, (출원) (18/090,242) (12월, 2022)
  • [특허] 오일권, 3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 및 그 제조방법, 특허, (출원) (10-2022-0172772) (12월, 2022)
  • [특허] 오일권, 원자 분포 조절을 통한 극초박막의 결정성 제어, 특허, (출원) (10-2022-0164227) (11월, 2022)
  • [특허] 오일권, VHF를 이용한 PE-ALD 장치 및 방법 , 특허, (출원) (10-2021-0189551) (12월, 2021)