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조중열
이름
조중열
학력
박사
전공
전자공학전공(과)
정보
연구실 :
원천관 207

연구실번호 :
2380

이메일 :
jungyol@ajou.ac.kr

연구관심분야 :
산화물 반도체, 디스플레이

홈페이지 :
학력
졸업연도/학교/학위
1993.01 Princeton Univ 박사
논문 및 연구활동
연구활동(주요논문)
  • [논문] 조중열, 맹군, YU MENG, 유덕연, 강두원, 김정환, 이동훈, ZnO Thin-Film Transistor Grown by rf Sputtering Using Carbon Dioxide and Substrate Bias Modulation , JOURNAL OF NANOMATERIALS , Vol.2014 , pp.1 -7 (Nov, 2014)
  • [논문] 조중열, 정재관, 서오권, Incomplete oxidation in back channel of GaInZnO thin-film transistor grown by rf sputtering , EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS , No.1 , pp.10302 -10305 (Apr, 2011)
  • [논문] 조중열, 김해미, 윤준호, 서오권, Acceptor behavior of N2O in MOCVD-grown ZnO thin-film transistors , PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS , Vol.247 , No.7 , pp.1645 -1648 (Jul, 2010)
  • [논문] 조중열, 최효식, 서오권, 윤준호, 이병곤, 김해미, Improvement of on/off ratio in ZnO thin-film transistor by using growth interruptions during metalorganic chemical vapor deposition , Thin Solid Films , Vol.517 , No.10 , pp.6337 -6340 (Oct, 2009)
  • [논문] 조중열, 최효식, 이병곤, 서오권, Enhancement mode ZnO thin-film transistor grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition , Applied Physics Express , Vol.1 , No.4 (Apr, 2008)
국제학술논문지
  • [논문] 조중열, 강두원, 강동진, 최재원, 전원진, Hydrogen-Assisted Sputtering Growth of TiN on Ceramic Substrates , COATINGS , Vol.9 , No.4 , pp.255 -262 (Apr, 2019)
  • [논문] 조중열, 방욱, 문정현, 김형우, 석오균, Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i-N Diodes Fabricated on SiC Semi-Insulating Substrate , JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY , Vol.1 , pp.387 -392 (Jan, 2018)
  • [논문] 김형우, 방욱, 문정현, 조중열, 석오균, Fabrication of 4H-SiC lateral double implanted MOSFET on an on-axis semi-insulating substrate without using epi-layer , JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , Vol.56 , No.12 , pp.120305-1 -120305-4 (Dec, 2017)
  • [논문] 조중열, 양유정, 김정환, 맹군, 유덕연, 전원진, ZnO thin-film transistor grown by rf sputtering using Zn metal target and oxidizer pulsing , JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN , Vol.125 , No.3 , pp.112 -117 (Mar, 2017)
  • [논문] 조중열, 전원진, 최재원, 강두원, Control of current distribution between parallel-connected NTC thermistors , ELECTRONICS LETTERS , Vol.53 , No.3 , pp.169 -171 (Feb, 2017)
  • [논문] 조중열, 맹군, YU MENG, 유덕연, 강두원, 김정환, 이동훈, ZnO Thin-Film Transistor Grown by rf Sputtering Using Carbon Dioxide and Substrate Bias Modulation , JOURNAL OF NANOMATERIALS , Vol.2014 , pp.1 -7 (Nov, 2014)
  • [논문] 조중열, 정재관, 서오권, Incomplete oxidation in back channel of GaInZnO thin-film transistor grown by rf sputtering , EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS , No.1 , pp.10302 -10305 (Apr, 2011)
  • [논문] 조중열, 김해미, 서오권, Anomalous capacitance change in low-temperature grown ZnO thin-film transistors , EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS , pp.10501 -10504 (Oct, 2010)
  • [논문] 조중열, 김해미, 윤준호, 서오권, Acceptor behavior of N2O in MOCVD-grown ZnO thin-film transistors , PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS , Vol.247 , No.7 , pp.1645 -1648 (Jul, 2010)
  • [논문] 조중열, 최효식, 서오권, 윤준호, 이병곤, 김해미, Improvement of on/off ratio in ZnO thin-film transistor by using growth interruptions during metalorganic chemical vapor deposition , Thin Solid Films , Vol.517 , No.10 , pp.6337 -6340 (Oct, 2009)
  • [논문] 조중열, 최효식, 강세진, Resistance Increase in TiOx Induced by Annealing and Voltage Application , Thin Solid Films , Vol.516 , No.23 , pp.8693 -8696 (Oct, 2008)
  • [논문] 조중열, 최효식, 이병곤, 서오권, Enhancement mode ZnO thin-film transistor grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition , Applied Physics Express , Vol.1 , No.4 (Apr, 2008)
  • [논문] 조중열, 이병곤, 서현석, 정의혁, 최연익, 서오권, Effect of hydrogen in zinc oxide thin-film transistor grown by metal organic chemical vapor deposition , Japanese Journal of Applied Physics , Vol.46 , No.4B , pp.2493 -2495 (Apr, 2007)
  • [논문] 조중열, F.Bradbury, Hong Chen, J.J.Heremans, V. Soghomonian, Electron Currents in Submicron Pentacene Transistors , TMS Letters , Vol.1 , No.6 , pp.135 -136 (Dec, 2004)
  • [논문] 조중열, F. Bradbury, Hong Chen, J.J.Heremans, V. Soghomonian, Gate tunable electron injection in submicron pentacene transistors , Nanotechnology , Vol.15 , No.8 , pp.1023 -1026 (Aug, 2004)
  • [논문] 조중열, V. Soghomonian, 김효진, Y. Nishihara, 이정철, J.J. Heremans, H. Suezawa, Modification of silicon optical properties by 250 keV electron irradiation , Japanese Journal of Applied Physics , Vol.43 , No.4A , pp.1237 -1240 (Apr, 2004)
  • [논문] 이종무, T.J.Eom, S.J.Kim, S.M.Kang, 조중열, 김현우, Reverse recovery characteristics and defect distribution in an electron-irradiated silicon pn junction diode , Materials Chemistry and Physics , Vol.84 , No.3 , pp.187 -191 (Mar, 2004)
  • [논문] 조중열, 이승호, 김효진, Y. Nishihara, 박용주, Reduction of turn-off time in silicon pn diodes by low energy electron irradiation , Physica Scripta , No.1 , pp.203 -206 (Nov, 2002)
  • [논문] 조중열, 이호성, 박준, 이준호, 신지연, Yoshiaki Nishihara, Comparison of breakdown behavior in electron-irradiated and proton irradiated silicon pn junctions , Japanese Journal of Applied Physics , Vol.39 , No.7B , pp.4660 -4662 (Jul, 2000)
  • [논문] 조중열, 박준, 이승호, 이준호, 이호성, 김효진, Y.Nishihara, 신지연, Transient breakdown behavior in electron-irradiated and proton-irradiated silicon pn junctions , American Institute of Physics , Vol.76 , No.7 , pp.1 -3 (Feb, 2000)
  • [논문] 조중열, Kevin Alt, 김동명, 최연익, K.L. Wang, Observation of Resonances by individual energy levels in InGaAs/AlAs triple barrier resonant tunneling diodes , Japanese Journal of Applied Physics , Vol.37 , No.3 , pp.1654 -1656 (Mar, 1998)
  • [논문] 조중열, K.L.Wang, K.Alt, Effect of doping density on capacitance of resonant tunneling diodes , Journal of Applied Physics , Vol.82 , No.10 , pp.5206 -5209 (Nov, 1997)
  • [논문] 조중열, K. Alt, K. L. Wang, Observation of new type resonances in triple barrier resonant tunneling diodes , Journal of Applied Physics , Vol.82 , No.6 , pp.2980 -2983 (Sep, 1997)
  • [논문] 조중열, K.L.wang, Resonant tunneling in asymmetric triple barrier diodes , Compound Semiconductor , Vol.145 , pp.851 -854 (Jul, 1996)
  • [논문] T.S.Lay, X.Ying, S.P.Shukl, 조중열, M.Shayega, Magnetotransport of a low-disorder trople-layer electron systems in perpendicular or parallel magnetic fields , Surface Science(SCI) , Vol.361 , pp.171 -175 (May, 1996)
  • [논문] S.Khorram, T.Block, D.Streit, 조중열, K.L.Wang, Vertical Transport in GaAs/AlGaAs superlattices by a microwave time-of-flight technique , Physical Review B (SCI) , Vol.51 , No.24 (Jun, 1995)
  • [논문] 조중열, H.S.Li, U.W.Chen, K.L.Wang, Observation of a large capacitive current in a double barrier resonant tunneling diaode at resonance , Applied Physics Letters(SCI) , Vol.64 , No.17 , pp.2276 -2278 (Apr, 1994)
  • [논문] M.Fritz, W.Chen, A.V.Nurmi, M.Santos, 조중열, M.Shayega, Interband spectroscopy of a quasi-three-dimensional elec-tron gas in wide parabolic AlGaAs quantum wells , Physical Review B(SCI) , Vol.48 , No.20 (Nov, 1993)
국내학술논문지
  • [논문] 조중열, 최재원, 전원진, Jun Meng, ZnO 스퍼터링에서 기판전압의 변화에 의한 성장 조절 , 반도체및디스플레이장비학회지 , Vol.16 , No.2 , pp.94 -97 (Jun, 2017)
  • [논문] 강두원, 조중열, 세라믹 패키지를 이용한 shunt 저항의 온도 특성 개선 , 반도체및디스플레이장비학회지 , Vol.14 , No.3 , pp.57 -60 (Sep, 2015)
  • [논문] 조중열, YU MENG, Zn 타겟을 이용한 ZnO 박막트랜지스터의 스퍼터링 성장 , 반도체및디스플레이장비학회지 , Vol.13 , No.3 , pp.35 -38 (Sep, 2014)
  • [논문] 조중열, 김형주, 김준영, 유덕연, ZnO 박막트랜지스터의 어닐링 조건에 따른 전류 변화 , 반도체및디스플레이장비학회지 , Vol.13 , No.1 , pp.63 -66 (Mar, 2014)
  • [논문] 조중열, 김정환, 이동훈, 유현근, 김세동, ZnO에서 질소 불순물에 의한 p-type Capacitance , 전기학회논문지 , Vol.61 , No.6 , pp.817 -820 (Jun, 2012)
  • [논문] 최연익, 윤준호, 서현석, 조중열, 김해미, 전력반도체소자에 적용되는 원통형 PN접합의 항복전압의 근사식 및 민감도 , 대한전기학회 논문지 , Vol.57 , No.12 , pp.2234 -2237 (Dec, 2008)
  • [논문] 조중열, 정의혁, 서현석, 최연익, 서오권, MOCVD로 제작된 ZnO의 성장온도에 따른 특성변화 , 반도체 및 디스플레이 장비학회 , Vol.4 , No.4 , pp.1 -4 (Dec, 2005)
  • [논문] 조중열, Amorphization of silicon by 250 keV electron irradiation and hydrogen annealing , KIEE International Transactions on EA , Vol.5c , No.1 , pp.23 -27 (Feb, 2005)
  • [논문] 이종무, 엄태종, 강승모, 김계령, 조중열, 김현우, 전자조사된 p+ -n- 접합 다이오드의 결함특성과 전기적 성질 , Journal of the Korean Vacuum Society , Vol.13 , No.1 , pp.14 -21 (Jan, 2004)
  • [논문] 조중열, 김성일, Improvement of off-state breakdown voltage in InGaAs PHEMT structure , Journal of EEIS , Vol.5 , No.1 , pp.37 -40 (Feb, 2000)
  • [논문] 조중열, LC 공진 특성을 이용한 공명 터널링 다이오드에서의 capacitance 측정 , 전기학회 논문지 , Vol.47 , No.1 , pp.51 -55 (Jan, 1998)
  • [논문] 최연익, 황규한, 조중열, 소자크기가 고정된 전력 MOSFET의 최적화 , 전기학회논문지 , Vol.46 , No.4 , pp.558 -565 (Apr, 1997)
  • [논문] 조중열, Superlattice 에서의 전도특성 연구 , 전자공학회 논문지 , Vol.33 , No.1 , pp.75 -80 (Jan, 1996)
국제학술발표
  • [학술회의] 조중열, 전원진, 맹군, 최재원, Comparison of ZnO Films Grown by dc Sputtering and rf Sputtering , International Meeting on Information Display , pp.743 -743 (Aug, 2017)
  • [학술회의] 김형우, 김남균, 석오균, 문정현, 조중열, 방욱, Effect of trench corner on breakdown characteristics of the 4H-SiC trench MOSFET , European conference on silicon carbide and related materials (Sep, 2016)
  • [학술회의] 김해미, 조중열, 서오권, Capacitance measurements in p-type ZnO grown by MOCVD , European Materials Research Society (Sep, 2010)
  • [학술회의] 조중열, 서오권, 윤준호, 김해미, Acceptor behavior of N2O in MOCVD-grown ZnO thin-film transistor , E-MRS Fall Meeting , Vol.1 , No.1 , pp.18503 -18503 (Sep, 2009)
  • [학술회의] 조중열, 윤준호, 김해미, Enhancement-mode ZnO thin-film transistors grown by MOCVD , 2008 Fall Meeting , Vol.2008 , No.1 , pp.6 -6 (Dec, 2008)
  • [학술회의] 조중열, 이병곤, 최효식, 서오권, Control of threshold voltage and on/off ratio in MOCVD grown ZnO thin-film transistor , E-MRS Spring Meeting 2008 , Vol.2008 , pp.2 -2 (May, 2008)
  • [학술회의] 조중열, 최효식, 이병곤, 서오권, Defect passivation by hydrogen in zinc oxide films grown by MOCVD , International Conference on Solid State Devices and Materials , Vol.2007 , No.1 , pp.142 -143 (Sep, 2007)
  • [학술회의] 조중열, 이병곤, 서현석, 정의혁, 최연익, 서오권, Effect of hydrogen in zinc oxide thin-film transistor grown by MOCVD , Solid State Devices and Materials , Vol.1 , No.1 , pp.194 -195 (Sep, 2006)
  • [학술회의] 조중열, 정의혁, 서현석, 최연익, 서오권, MOCVD grown zinc oxide thin-film transistor , International Display Manufacturing Conference , Vol.6 , No.1 , pp.707 -710 (Aug, 2006)
  • [학술회의] 조중열, F. Bradbury, Hong Chen, J. J. Heremans, V. Spghomonian, Electron injectioncurrent in submicron pentacene transistors , Solid state devices and materials , Vol.2005 , No.1 , pp.976 -977 (Sep, 2005)
  • [학술회의] V. Soghomonian, F. Bradbury, Hong Chen, 조중열, J. J. Heremans, Fa Electron currents in submicron pentacene transistors , Electronic Materials Conference , Vol.46 , No.1 , pp.79 -79 (Jun, 2004)
  • [학술회의] 조중열, 이승호, 김효진, Y. Nishihara, 박용주, Reduction of turn-off time in silicon pn diodes by low energy electron irradiation , Nordic Semiconlductor Meeting , Vol.19 , No.1 , pp.56 -56 (May, 2001)
  • [학술회의] 조중열, 이승호, 박준, 신지연, Y. Nishihara, 김효진, Lifetime control by low energy electron irradiation and hydrogen annealing , Device Research Conference , Vol.58 , pp.61 -62 (Jun, 2000)
  • [학술회의] 조중열, 이호성, 신지연, 이준호, Y. Nishihara, 박준, Comparison of breakdown behavior in electron irradiated and proton irradiated silicon pn junctions , ISSS-3 , Vol.3 , No.1 , pp.84 -84 (Nov, 1999)
  • [학술회의] 최연익, 박일용, 김성룡, 정상구, 조중열, Latch-up suppressed LIGBT with an n-type ring , Proc. EPE`97 , Vol.1 , No.1 , pp.3027 -3030 (Sep, 1997)
  • [학술회의] 조중열, K. Alt, 김동명, 최연익, K.L.Wang, Observation of resonances by individual energy levels in InGaAs/AlAs triple barrier RTD , Extended Abstract of 1997 SSDM , pp.240 -241 (Sep, 1997)
국내학술발표
  • [학술회의] 최연익, 김해미, 윤준호, 조중열, 원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식 및 민감도 , 2008 대한전기학회 전기물성응용부문회 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 , Vol.1 , No.1 , pp.179 -180 (Oct, 2008)
  • [학술회의] 최연익, 김해미, 윤준호, 조중열, 구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고 , 2008 대한전기학회 전기물성응용부문회 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 , Vol.1 , No.1 , pp.127 -128 (Oct, 2008)
  • [학술회의] 최연익, 조중열, 서현석, 안희태, 원통형 PN접합의 항복전압의 농도에 대한 민감도 , 2006년도 전기물성 응용 부문회 추계학술대회 , Vol.50 , No.2 , pp.59 -60 (Oct, 2006)
  • [학술회의] 조중열, V. Soghomonian, 임상빈, J.J.Heremans, Transport properties of electron and holes in pentacene thin-film transistor , 한국반도체학술대회 , Vol.12 , pp.249 -250 (Feb, 2005)
  • [학술회의] 조중열, 김효진, 김성일, Y. Nishihara, 박용주, Lifetim control by low energy electron irradiation and hydrogen annealing , 한국반도체 학술대회 , Vol.8 , pp.543 -544 (Feb, 2001)
  • [학술회의] 조중열, 이준호, 이호성, 박준, Defect에 의한 다이오드 reverse recovery 특성시의 전류증가현상 , 하계학술대회 , Vol.1999 , No.1 , pp.2572 -2574 (Jul, 1999)
  • [학술회의] 조중열, 이준호, 이호성, 박준, 전자와 양성자를 조사한 pn 다이오드의 turn on, off transient 특성비교 , 1999 하계학술대회 , Vol.1999 , No.1 , pp.1947 -1949 (Jul, 1999)
  • [학술회의] 조중열, 신지연, 이호성, 김성일, InGaAs PHEMT 구조에서 Recess 구조를 이용한 off 상태의 항복전압 개선 , 제6회한국반도체학술대회 , Vol.6 , No.1 , pp.699 -700 (Feb, 1999)
  • [학술회의] 조중열, 신동열, 전광선, 송락현, LaCrO3가 분산된 Cr 합금의 구조 및 산화거동 , 98년도 하계학술대회 , Vol.1998 , pp.1303 -1305 (Jul, 1998)
  • [학술회의] 조중열, 박준, GaAs MESFET 에서 AlGaAs buffer layer에 의한 Drain 누설전류 차단 , 98년도 하계 학술대회 , Vol.1998 , pp.1321 -1323 (Jul, 1998)
  • [학술회의] 조중열, 신지연, 김성일, InGaAs/AlAs 3중장벽 공명터널링 다이오드에서 개별에너지레벨에 의한 공명현상 , 제5회 한국반도체학술대회 , Vol.5 , No.1 , pp.83 -84 (Feb, 1998)
  • [학술회의] 조중열, H.S. Li, K.L.Wang, Parameter analysis of a resonant tunneling diodes by measuringresonance frequency , 95 APMC Proceedings , pp.21 -24 (Oct, 1995)
특허 및 기타
  • [특허] 조중열, 서오권, ZnO 필름 및 이를 이용한 TFT의 제조방법 (등록) (10-1186297) (Sep, 2012)
  • [특허] 조중열, 서오권, ZnO 필름 및 이것을 이용한 TFT의 제조 방법 (등록) (JP 4977478) (R0420JP) (Apr, 2012)
수업계획서
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